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Diodes Incorporated
DMN2016LHAB-7 Matrizes FET e MOSFET
DMN2016LHAB-7
289-DMN2016LHAB-7
Diodes Incorporated-DMN2016LHAB-7-datasheets-12782947.pdf
MOSFET 2N-CH 20V 7.5A 6UDFN
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Especificações técnicas
Temperatura de operação
Recurso FET
Configuração
Capacitância de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
Carga do Portão (Qg) (Máx.) @ Vgs
ECCN
Tipo de montagem
Status do produto
Rds ativados (máx.) @ ID, Vgs
Vgs(th) (máx.) @ ID
Pacote de dispositivos do fornecedor
Dreno para Tensão de Fonte (Vdss)
Series
Pacote/Caixa
Tecnologia
Potência - Máx.
Estado do REACH
Fabricante
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C
HTSU
Pacote
Status RoHS
Número básico do produto
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
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