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GAN3R2-100CBEAZ FETs únicos, MOSFETs
GAN3R2-100CBEAZ
278-GAN3R2-100CBEAZ
Nexperia-GAN3R2-100CBEAZ-datasheets-13250356.pdf
100 V, 3.2 MOHM GALLIUM NITRIDE
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Especificações técnicas
Tipo FET
Capacitância de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
Carga do Portão (Qg) (Máx.) @ Vgs
Status do produto
Pacote de dispositivos do fornecedor
Dreno para Tensão de Fonte (Vdss)
Dissipação de energia (máx.)
Pacote/Caixa
Tecnologia
Estado do REACH
Fabricante
Vgs (máx.)
Status RoHS
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
Temperatura de operação
Recurso FET
ECCN
Tipo de montagem
Rds ativados (máx.) @ ID, Vgs
Vgs(th) (máx.) @ ID
Series
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C
Tensão do inversor (Max Rds ligado, Min Rds ligado)
HTSU
Pacote
Número básico do produto
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Taxa de envio
Os envios são feitos uma vez por dia por volta das 17h, exceto domingos. Depois de enviado, o tempo estimado de entrega é geralmente de 5 a 7 dias úteis, dependendo do transportador que você escolher.
Métodos de entrega
Fornece serviço de entrega internacional DHL, FedEx, UPS, EMS, SF Express e correio aéreo registrado
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