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FCB199N65S3 FETs únicos, MOSFETs
FCB199N65S3
278-FCB199N65S3
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MOSFET N-CH 650V 14A D2PAK
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Especificações técnicas
Tipo FET
Capacitância de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
Carga do Portão (Qg) (Máx.) @ Vgs
Status do produto
Pacote de dispositivos do fornecedor
Dreno para Tensão de Fonte (Vdss)
Dissipação de energia (máx.)
Pacote/Caixa
Tecnologia
Estado do REACH
Fabricante
Vgs (máx.)
Status RoHS
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
Temperatura de operação
Recurso FET
ECCN
Tipo de montagem
Rds ativados (máx.) @ ID, Vgs
Vgs(th) (máx.) @ ID
Series
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C
Tensão do inversor (Max Rds ligado, Min Rds ligado)
HTSU
Pacote
Número básico do produto
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Mult Dev Assembly 08/Jan/2024 FCB199N65S3 Mult Devices 24/Oct/2017 FCB199N65S3 Logo 17/Aug/2017 SuperFet Datasheet Chg 30/Jul/2019 onsemi RoHS Material Declaration FCB199N65S3 Partes Relacionadas
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