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NTLJD4150PTBG Matrizes FET e MOSFET
NTLJD4150PTBG
289-NTLJD4150PTBG
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MOSFET 2P-CH 30V 1.8A 6WDFN
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Especificações técnicas
Temperatura de operação
Recurso FET
Configuração
Capacitância de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
Carga do Portão (Qg) (Máx.) @ Vgs
ECCN
Tipo de montagem
Status do produto
Rds ativados (máx.) @ ID, Vgs
Vgs(th) (máx.) @ ID
Pacote de dispositivos do fornecedor
Dreno para Tensão de Fonte (Vdss)
Series
Pacote/Caixa
Tecnologia
Potência - Máx.
Estado do REACH
Fabricante
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C
HTSU
Pacote
Número básico do produto
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
NTLJD4150PTBG Documentos
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NTLJD4150P Multiple Devices 19/Dec/2008 NTLJD4150P onsemi RoHS onsemi REACH Partes Relacionadas
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Métodos de entrega
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