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Vishay / Siliconix
SIDR5102EP-T1-RE3 FETs únicos, MOSFETs
SIDR5102EP-T1-RE3
278-SIDR5102EP-T1-RE3
Vishay / Siliconix-SIDR5102EP-T1-RE3-datasheets-8393400.pdf
N-CHANNEL 100 V (D-S) 175C MOSFE
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Especificações técnicas
Tipo FET
Capacitância de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
Carga do Portão (Qg) (Máx.) @ Vgs
Status do produto
Pacote de dispositivos do fornecedor
Dreno para Tensão de Fonte (Vdss)
Dissipação de energia (máx.)
Pacote/Caixa
Tecnologia
Fabricante
Vgs (máx.)
Status RoHS
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
Temperatura de operação
Recurso FET
ECCN
Tipo de montagem
Rds ativados (máx.) @ ID, Vgs
Vgs(th) (máx.) @ ID
Series
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C
Tensão do inversor (Max Rds ligado, Min Rds ligado)
HTSU
Pacote
Número básico do produto
SIDR5102EP-T1-RE3 Documentos
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Métodos de entrega
Fornece serviço de entrega internacional DHL, FedEx, UPS, EMS, SF Express e correio aéreo registrado
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