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Vishay / Siliconix
SQJ960EP-T1_GE3 Matrizes FET e MOSFET
SQJ960EP-T1_GE3
289-SQJ960EP-T1_GE3
Vishay / Siliconix-SQJ960EP-T1_GE3-datasheets-9041689.pdf
MOSFET 2N-CH 60V 8A PPAK SO8
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Especificações técnicas
Configuração
Capacitância de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
Carga do Portão (Qg) (Máx.) @ Vgs
Status do produto
Pacote de dispositivos do fornecedor
Dreno para Tensão de Fonte (Vdss)
Pacote/Caixa
Tecnologia
Fabricante
Status RoHS
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
Temperatura de operação
Recurso FET
ECCN
Nota
Tipo de montagem
Rds ativados (máx.) @ ID, Vgs
Vgs(th) (máx.) @ ID
Series
Qualificação
Potência - Máx.
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C
HTSU
Pacote
Número básico do produto
SQJ960EP-T1_GE3 Documentos
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New Ordering Code 19/Mar/2015 SIL-044-2014-Rev-1 20/May/2014 SQJ960EP-T1-GE3 SQJ960EP-T1-GE3 Partes Relacionadas
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